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JSM7240

N沟道增强型MOSFET 1个N沟道耐压:40V 电流:40A

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描述: 应用于电脑、DC/DC转换器的电源管理等等。
品牌名称: JSMSEMI(杰盛微)
商品型号: JSM7240
商品编号: C2874730
商品封装: DFN-8(4.9x5.8)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.16克(g)

商品参数

商品概述

TPS1100是一款单P沟道增强型MOSFET。该器件通过LinBiCMOS工艺，针对电池供电系统中的3V或5V电源分配进行了优化。其最大VGS(th)为 -1.5V，IDSS仅为0.5μA，是低压便携式电池管理系统中理想的高端开关，此类系统主要关注的是延长电池使用寿命。低rDS(on)和出色的交流特性（典型上升时间为10ns），使TPS1100成为低压开关应用的合理选择，例如脉宽调制（PWM）控制器或电机/桥式驱动器的电源开关。

超薄缩小外形封装（TSSOP (PW)）版本的占位面积更小且高度降低，适用于其他P沟道MOSFET无法安装的地方。在电路板空间有限且高度受限，无法使用小外形集成电路（SOIC）封装的情况下，这种尺寸优势尤为重要。

此类应用包括笔记本电脑、个人数字助理（PDA）、手机和PCMCIA卡。对于现有设计，D封装版本的引脚排列与SOIC封装的其他P沟道MOSFET相同。

商品特性

沟槽功率αMOS技术
低导通电阻RDS(ON)
低栅极电荷
高电流承载能力
符合RoHS标准且无卤

应用领域

计算机领域的DC/DC转换器
电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	40A
	导通电阻(RDS(on))	5.5mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	36.7W
	阈值电压(Vgs(th))	2.4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	35nC@10V
	输入电容(Ciss)	2.2nF
	反向传输电容(Crss)	73pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	680pF