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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

JSM7409

1个P沟道 耐压:30V 电流:32A

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描述
采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷下提供优异的Rps(on),可应用于多种应用领域。
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
JSM7409
商品编号
C2874717
商品封装
DFN-8(3.3x3.3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)32A
导通电阻(RDS(on))15mΩ@10V
耗散功率(Pd)96W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)58nC@10V
输入电容(Ciss)2.142nF
反向传输电容(Crss)363pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)474pF

商品概述

G30N02采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通状态漏源电阻(RDS(ON))。它可用于各种应用场景。

商品特性

  • 沟槽功率αMOS技术
  • 低导通电阻(RDS(ON))
  • 低栅极电荷
  • 高电流承载能力
  • 符合RoHS标准且无卤素

应用领域

  • 计算领域的DC/DC转换器
  • 电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器

数据手册PDF