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JSM2622
1个N沟道 耐压:20V 电流:50A
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- 描述
- 适用于一般开关和低压电源电路、开关速度较快、导通电阻低。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- JSM2622
- 商品编号
- C2874712
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 21W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 500pF |
商品概述
D2N65是一款高压功率MOSFET，采用先进的沟槽MOSFET设计，具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高雪崩耐量特性。该功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。
商品特性
- 栅源电压 (VGS) = 10V、漏极电流 (ID) = 2.0A 时，漏源导通电阻 (RDS(ON)) ≤ 4.3 Ω
- 快速开关能力
- 经过雪崩能量测试
- 改善的dv/dt能力，高耐量