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SIA517DJ-T1-GE3-JSM
1个N沟道+1个P沟道 耐压:12V 电流:4.5A
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- 描述
- 应用于便携式设备负载开关。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- SIA517DJ-T1-GE3-JSM
- 商品编号
- C2874705
- 商品封装
- WDFN-6-EP(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.133克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 61mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 590pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
- 漏极电流 ID = 110A（壳温 TC= 25℃ 时）
- 漏源电压：VDSS= 55V最小值）
- 快速开关速度
- 最小的批次间差异，确保器件性能稳定、运行可靠
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 功率 MOSFET
- 新型热增强型 PowerPAK SC-70 封装
- 占位面积小
- 低导通电阻
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 便携式设备的负载开关