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WST3400A
N沟道 耐压:30V 电流:6.4A
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- 描述
- Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 30 VGS(V) 12 ID(A)Max. 6.4 VGS(th)(v) 0.8 RDS(ON)(m?)@4.67V 20 Qg(nC)@4.5V 5.8 QgS(nC) 2.4 Qgd(nC) 2 Ciss(pF) 520 Coss(pF) 72 Crss(pF) 56
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WST3400A
- 商品编号
- C2758406
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 31mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 91pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 112pF |
商品概述
MEE4294-G 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度 EMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如 AC/DC 适配器或 PC 电源的同步整流，在非常小外形的表面贴装封装中需要负载开关和低在线功率损耗的场合。
商品特性
-先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制-提供绿色环保器件
应用领域
- 笔记本电脑(MB)、上网本(NB)、超便携个人电脑(UMPC)、显卡(VGA)的高频负载点同步小功率开关
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关