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STP36N60M6
1个N沟道 耐压:600V 电流:30A
- 描述
- N沟道600 V、85 mOhm典型值、30 A MDmesh M6功率MOSFET，TO-220封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP36N60M6
- 商品编号
- C2688565
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 99mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 44.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.96nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 93pF |
商品概述
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 属于 MDmesh DM6 快速恢复二极管系列。与上一代 MDmesh 产品相比，DM6 结合了极低的恢复电荷（Qrr）、恢复时间（trr），以及单位面积导通电阻（RDS(on)）的显著改善，具备市场上最有效的开关性能之一，适用于对效率要求极高的桥式拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器。
商品特性
- 快速恢复体二极管
- 与上一代产品相比，单位面积导通电阻（RDS(on)）更低
- 栅极电荷、输入电容和电阻低
- 100% 雪崩测试
- 极高的 dv/dt 鲁棒性
- 齐纳保护
- 得益于额外的驱动源引脚，开关性能出色
应用领域
- 开关应用