温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.5kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 939pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 102pF |
商品概述
这些器件是采用 SuperMESHTM 技术开发的 N 沟道齐纳保护功率 MOSFET，通过优化成熟的基于条形的 PowerMESHTM 布局实现。除了显著降低导通电阻外，该器件还针对最苛刻的应用场景，确保了高水平的 dv/dt 能力。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 本征电容和Qg最小化
- 高速开关
- 全隔离TO - 3PF塑料封装,爬电距离为5.4 mm(典型值)
应用领域
-开关应用