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STW21NM60ND
N沟道,电流:17A,耐压:600V
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW21NM60ND
- 商品编号
- C2688523
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该系列器件采用超级沟槽 II 技术，经过独特优化，可提供高效的高频开关性能。由于极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）组合，传导和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- 本征快速恢复体二极管
- 在快速恢复二极管器件中,具备全球最佳的导通电阻RDS(ON)与面积乘积
- 100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
- 极高的dv/dt和雪崩能力
应用领域
-开关应用