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STP6N90K5
N沟道,电流:6A,耐压:900V
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- 描述
- N沟道900 V、0.91 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-220封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP6N90K5
- 商品编号
- C2688555
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 342pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 31pF |
商品概述
全新的MDmesh™ M6技术融合了对广为人知且成熟的SJ MOSFET MDmesh系列的最新改进。 意法半导体（STMicroelectronics）凭借其全新的M6技术，在MDmesh前代产品的基础上进行升级。该技术不仅显著改善了单位面积的导通电阻RDS(on)，还具备出色的开关性能，为用户带来便捷体验，实现终端应用的最高效率。
商品特性
- 降低开关损耗
- 与前代产品相比，单位面积的导通电阻RDS(on)更低
- 栅极输入电阻低
- 100%经过雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用
- LLC转换器
- 升压PFC转换器