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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 620V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@50uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 875pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
这些SuperMESH3功率MOSFET是在SuperMESHTM技术基础上改进，并结合全新优化垂直结构的成果。这些器件具有极低的导通电阻、卓越的动态性能和高雪崩能力，适用于要求最为严苛的应用场景。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 极高的dv/dt能力
- 栅极电荷最小化
- 极低的本征电容
- 改善的二极管反向恢复特性
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用