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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 280pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 42pF |
商品概述
该器件是一款采用 SuperMESHTM 技术开发的 N 沟道齐纳保护功率 MOSFET,通过对成熟的基于条形的 PowerMESHTM 布局进行优化实现。除了显著降低导通电阻外,该器件还针对最苛刻的应用场景设计,具备高水平的 dv/dt 耐受能力。
商品特性
- 极高的 dv/dt 耐受能力
- 增强的 ESD 防护能力
- 经过 100% 雪崩测试
- 栅极电荷最小化
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用