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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@50uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 280pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 42pF |
商品概述
这些超高压N沟道功率MOSFET属于MDmesh DK5快速恢复二极管系列。MDmesh DK5将极低的恢复电荷（Qrr）和恢复时间（trr）与RDS(on)*面积的显著改善以及高效的开关性能相结合，非常适合半桥和全桥转换器。
商品特性
- 快速恢复体二极管
- 最佳RDS(on) x面积
- 低栅极电荷、输入电容和电阻
- 100%雪崩测试
- 极高的dv/dt鲁棒性
应用领域
- 开关应用