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STU7N80K5
N沟道,电流:6A,耐压:800V
- 描述
- N沟道800 V、0.95 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET，IPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STU7N80K5
- 商品编号
- C2688529
- 商品封装
- TO-251-3(IPAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 360pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品概述
这些器件是采用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。这种创新型功率MOSFET将垂直结构与该公司的条形布局相结合，实现了极低的导通电阻和栅极电荷。因此，它适用于要求最为严苛的高效转换器。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
应用领域
- 开关应用