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STQ1HNK60R-AP
1个N沟道 耐压:600V 电流:0.4A
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- 描述
- 这些高压器件是齐纳保护的N沟道功率MOSFET，采用SuperMESH™技术开发，是成熟的PowerMESH™的优化版本。除了显著降低导通电阻外，这些器件还旨在为最苛刻的应用确保高水平的dv/dt能力。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STQ1HNK60R-AP
- 商品编号
- C2688541
- 商品封装
- TO-92
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 0.35克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 400mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 156pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
全新的MDmesh M6技术融合了最新的技术进步，应用于广为人知且成熟的SJ MOSFET MDmesh系列产品。 意法半导体（STMicroelectronics）通过其全新的M6技术，在MDmesh前代产品的基础上进行升级。该技术不仅显著改善了单位面积的导通电阻RDS(on)，还具备出色的开关性能，同时为用户提供便捷体验，以实现终端应用的最高效率。
商品特性
- 极高的 dv/dt 能力
- 100% 雪崩测试
- 栅极电荷最小化
应用领域
- 开关应用