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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@100uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.145nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款超高压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于创新专有垂直结构的 MDmesh™ K5 技术设计。其成果是显著降低了导通电阻，并实现了超低栅极电荷，适用于对功率密度和效率要求极高的应用场景。
商品特性
- 业界最低的导通电阻与面积乘积（RDS(on) x 面积）
- 业界最佳的品质因数（FoM）
- 超低栅极电荷
- 100% 雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用