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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.145nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些器件是采用 SuperMESHTM 技术开发的 N 沟道齐纳保护功率 MOSFET,通过优化成熟的基于条形的 PowerMESHTM 布局实现。除了显著降低导通电阻外,该器件还针对最苛刻的应用场景,确保了高水平的 dv/dt 能力。
商品特性
- 100% 雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
- 极高的 dv/dt 和雪崩能力
应用领域
- 开关应用