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STU6N60DM2
1个N沟道 耐压:600V 电流:5A
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- 描述
- N沟道600 V、0.26 Ohm典型值、12 A MDmesh DM2功率MOSFET，IPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STU6N60DM2
- 商品编号
- C2688530
- 商品封装
- TO-251-3(IPAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.98克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 274pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15pF |
商品概述
该器件是一款采用 SuperMESH™ 技术开发的 N 沟道齐纳保护功率 MOSFET，通过对成熟的基于条形的 PowerMESH™ 布局进行优化实现。除了显著降低导通电阻外，该器件还针对最苛刻的应用场景设计，具备高水平的 dv/dt 耐受能力。
商品特性
- 快速恢复体二极管
- 极低的栅极电荷和输入电容
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 极高的dv/dt鲁棒性
- 齐纳保护
应用领域
-开关应用