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STW14NK50Z
1个N沟道 耐压:500V 电流:14A
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- 描述
- SuperMESH™ 系列是通过对成熟的基于条形的 PowerMESH™ 布局进行极致优化而获得的。除了显著降低导通电阻外，还特别注意确保在最苛刻的应用中具有良好的 dv/dt 能力。该系列补充了包括革命性的 MDmesh™ 产品在内的全系列高压 MOSFET。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW14NK50Z
- 商品编号
- C2688526
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 92nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 238pF |
商品概述
该器件是一款基于创新专有垂直工艺技术的N沟道MDmesh V功率MOSFET，结合了知名的PowerMESH横向布局结构。由此产生的产品具有极低的导通电阻，这在硅基功率MOSFET中是无与伦比的，使其特别适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。
商品特性
- 更高的VDS额定值
- 更高的dv/dt能力
- 借助额外的驱动源引脚，具备出色的开关性能
- 易于驱动
- 经过100%雪崩测试
应用领域
- 高效开关应用-服务器-光伏逆变器-电信基础设施-多千瓦电池充电器