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STW20NM60FD
1个N沟道 耐压:600V 电流:20A
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- 描述
- FDmesh™ 将低导通电阻和快速开关的所有优势与本征快速恢复体二极管相结合。因此，强烈建议将其用于桥接拓扑，特别是零电压开关 (ZVS) 移相转换器。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW20NM60FD
- 商品编号
- C2688524
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 290mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 214W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF@25V | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
全新 MDmesh™ M6 技术融合了对知名且成熟的 MDmesh 系列超结 MOSFET 的最新改进。它将出色的导通电阻（RDS(on)）与面积优化，以及高效的开关性能相结合，为终端应用提供最高效率的用户体验。
商品特性
- 降低开关损耗
- 与上一代产品相比，降低导通电阻（RDS(on)）与面积的乘积
- 低栅极输入电阻
- 100% 雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用