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STW48N60M6-4
N沟道,电流:39A,耐压:600V
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- 描述
- N沟道600 V、61 mOhm典型值、39 A MDmesh M6功率MOSFET，TO247-4封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW48N60M6-4
- 商品编号
- C2688513
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 39A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 69mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.25V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.578nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
全新的MDmesh M6技术融合了最新的技术进步,应用于广为人知且成熟的SJ MOSFET MDmesh系列产品。 意法半导体(STMicroelectronics)通过其全新的M6技术,在MDmesh前代产品的基础上进行升级。该技术不仅显著改善了单位面积的导通电阻RDS(on),还具备出色的开关性能,同时为用户提供便捷体验,以实现终端应用的最高效率。
商品特性
- 降低开关损耗
- 与前代产品相比,单位面积的导通电阻RDS(on)更低
- 栅极输入电阻低
- 经过100%雪崩测试
- 齐纳保护
- 额外的驱动源极引脚带来出色的开关性能
应用领域
- 开关应用
- LLC转换器
- 升压PFC转换器