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STW33N60M6
N沟道,电流:25A,耐压:600V
- 描述
- N沟道600 V、105 mOhm典型值、25 A MDmesh M6功率MOSFET，TO-247封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW33N60M6
- 商品编号
- C2688521
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 190W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.515nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
SuperMESH™ 系列是对意法半导体（ST）成熟的基于条形结构的 PowerMESH™ 布局进行极致优化的成果。除了显著降低导通电阻外，还特别注重确保其在最严苛应用场景下具备出色的 dv/dt 能力。该系列产品完善了意法半导体的高压 MOSFET 全产品线，其中包括具有革新意义的 MDmesh™ 产品。
商品特性
- 极高的 dv/dt 能力
- 100% 雪崩测试
- 栅极电荷极小化
- 极低的本征电容
- 出色的制造重复性
应用领域
- 开关应用
- TO - 220
- TO - 247
- TO - 220FP
- I²PAK
- D²PAK