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STW36NM60ND
1个N沟道 耐压:600V 电流:29A
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- 描述
- 采用第二代MDmesh技术生产，具有本征快速恢复体二极管。利用新型条形布局垂直结构，具有极低的导通电阻和卓越的开关性能，适用于桥式拓扑和ZVS相移转换器。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW36NM60ND
- 商品编号
- C2688516
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 4.49克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 190W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.785nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@50V | |
| 工作温度 | - |
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