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STW45NM50
1个N沟道 耐压:500V 电流:45A
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- 描述
- 这款N沟道功率MOSFET采用意法半导体（STMicroelectronics）的革命性MDmesh™技术开发，该技术将多漏极工艺与该公司的PowerMESH™水平布局相结合。此器件具有极低的导通电阻、高dv/dt和出色的雪崩特性。这款功率MOSFET采用意法半导体的专有条形技术，其整体动态性能优于市场上的同类产品
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW45NM50
- 商品编号
- C2688515
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.92克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 390W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 113nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.29nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 865pF |
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