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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 417W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.25nF |
商品概述
MDmesh是一种全新的革命性功率MOSFET技术，它将多漏极工艺与PowerMESH横向布局相结合。由此生产的产品具有极低的导通电阻、极高的dv/dt和出色的雪崩特性。采用专有条形技术后，整体动态性能明显优于同类竞品。
商品特性
- 高dv/dt和雪崩能力
- 100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
应用领域
- 开关应用