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STC4614
N和P通道,电流:10.0A/-10.0A,耐压:40V/-40V
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- 描述
- STC4614 是采用高单元密度 DMOS 沟槽技术的 N 沟道和 P 沟道增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺专门用于最大限度地降低导通电阻，并提供卓越的开关性能。该器件特别适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，这些应用需要高端开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力
- 品牌名称
- STANSON(司坦森)
- 商品型号
- STC4614
- 商品编号
- C2682813
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.731克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A；10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V；35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA；3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.3nC@10V；13.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结原理设计。深沟槽超结MOSFET提供了一种具有极低开关、通信和传导损耗的器件，其高鲁棒性使谐振开关应用尤其可靠、高效、轻便且散热良好。
商品特性
- 极低的品质因数（导通状态漏源电阻 × 栅极电荷）
- 100%雪崩测试
- 易于使用/驱动
- 符合RoHS标准
应用领域
-开关模式电源(SMPS)-不间断电源(UPS)-功率因数校正(PFC)-充电器