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STN4438
N沟道,电流:8.2A,耐压:60V
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- 描述
- STN4438是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如电源管理以及需要高端开关的其他电池供电电路
- 品牌名称
- STANSON(司坦森)
- 商品型号
- STN4438
- 商品编号
- C2682799
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.65克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA；3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 116pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 155pF |
商品概述
4622采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换的高端开关，以及其他多种应用。
商品特性
- N沟道
- VDS = 20V，ID = 6.4A
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 23mΩ
- 在VGS = 2.5V时，RDS(ON) < 30mΩ
- P沟道
- VDS = -20V，ID = -6.4A
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 40mΩ
- 在VGS = -2.5V时，RDS(ON) < 50mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 获得无铅产品认证
- 表面贴装封装