温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STN4488L
1个N沟道 耐压:30V 电流:20A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- STN4488L 是采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造的 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。它适用于便携式或电池供电系统中的电源管理应用。
- 品牌名称
- STANSON(司坦森)
- 商品型号
- STN4488L
- 商品编号
- C2682798
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.2mΩ@4.5V,18A | |
| 耗散功率(Pd) | 20W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 112nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.8nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 540pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件是一款采用第六代STripFET DeepGATE技术开发的P沟道功率MOSFET，具有全新的栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均展现出最低的导通电阻RDS(on)。
商品特性
- @ VGS = 10 V
- RDS(on) * Qg为行业标杆
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 高雪崩耐量
- 低栅极输入电阻
应用领域
- 开关应用
- LCC转换器、谐振转换器