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FDP18N20F
200V, 18A, 140mΩ N沟道MOSFET 停产
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDP18N20F
- 商品编号
- C243045
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.18nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
UniFET™ MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。该MOSFET经过优化，可降低导通电阻，提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。通过寿命控制，UniFET FRFET MOSFET的体二极管反向恢复性能得到了增强。其trr小于100纳秒，反向dv/dt抗扰度为15V/ns，而普通平面MOSFET的trr超过200纳秒，反向dv/dt抗扰度为4.5V/ns。因此，在MOSFET体二极管性能至关重要的某些应用中，它可以减少额外元件，提高系统可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视电源、ATX电源和电子灯镇流器。
商品特性
- RDS(on) = 120 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V，ID = 9 A
- 低栅极电荷（典型值20 nC）
- 低Crss（典型值24 pF）
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- LCD/LED电视
- 消费电器
- 照明
- 不间断电源
- AC-DC电源