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FDA70N20
停产 1个N沟道 耐压:200V 电流:70A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDA70N20
- 商品编号
- C243041
- 商品封装
- TO-3PN
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 417W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 86nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.97nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 980pF |
商品概述
UniFETTM MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。该MOSFET经过专门设计,可降低导通电阻,提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX和电子灯镇流器。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 35 A时,RDS(on)(最大值)为35 mΩ
- 低栅极电荷(典型值66 nC)
- 低Crss(典型值89 pF)
- 经过100%雪崩测试
应用领域
-不间断电源-交流-直流电源