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CME6P03A
P沟道 耐压:30V 电流:5.5A
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- 描述
- MOS管，SOT-89，P沟道，耐压：-30V，电流：-5.5A，10V内阻：47mΩ，4.5V内阻：68mΩ，功率：1.5W，CISS(Typ)：535PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CME6P03A
- 商品编号
- C22449525
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 47mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 535pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
TO-263 塑封封装 N 沟道场效应管。 N 沟道 MOSFET，采用 TO-263 塑料封装。
商品特性
~~- 低电阻-开关速度快-无卤产品-超低导通电阻-快速开关-高频产品
应用领域
- BMS 设备
- 大功率逆变器系统
- 电力设备
- BMS 设备
- 大功率逆变器系统
- 电力设备