CMH80P10
P沟道 耐压:100V 电流:80A
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- 描述
- MOS管,TO-247,P沟道,耐压:-100V,电流:-80A,10V内阻:25mΩ,功率:300W,CISS(Typ):13000PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMH80P10
- 商品编号
- C22449528
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.822222克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC | |
| 输入电容(Ciss) | 13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 400pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 13nF |
商品概述
055N06采用先进技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适合用作通用低端场效应晶体管。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 驱动要求简单
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换器-电机驱动-动力系统管理
