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CMD40NP06
双通道MOSFET,电流:40A,耐压:60V
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- 描述
- MOS管，TO-252-4L，N+P沟道，耐压：60V，电流：40A，10V内阻：18mΩ，4.5V内阻：20mΩ，功率：75W，CISS(Typ)：2500PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD40NP06
- 商品编号
- C22449523
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3825克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@4.5V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
65R550是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件为设计师带来低电磁干扰（EMI）优势，同时具备低开关损耗。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 充电器-适配器-电源