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CMD20N10L
100V,55mΩ典型,20A N沟道MOSFET
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- 描述
- MOS管，TO-252，N沟道，耐压：100V，电流：20A，10V内阻：62mΩ，4.5V内阻：70mΩ，功率：50W，CISS(Typ)：1250PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD20N10L
- 商品编号
- C22449522
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 62mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.25nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
TO-263 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package.
商品特性
- Low gate charge, low crss, fast switching.
- Halogen-free Product.
应用领域
- 用于高功率 DC/DC 转换和功率开关。
- These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters and switch mode power supplies.