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CMB130N85A
N沟道 85V 120A
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- 描述
- MOS管，TO-263，N沟道，耐压：85V，电流：120A，10V内阻：5mΩ，功率：170W，CISS(Typ)：3900PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB130N85A
- 商品编号
- C22449521
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.69克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 170W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 更低的导通电阻
- 100%保证EAS
- 驱动要求简单
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换器
- 负载开关
- 无刷直流电机驱动器