温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

HPESDAWC236T5VU

ESD 5V截止峰值浪涌电流：4A

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 这款单向ESD保护二极管，独特之处在于其四通道设计，专为5V电压平台打造，能承受4A瞬时电流冲击，电容值仅为0.5pF，确保高速信号无损流通，为多线路电子设备提供全方位静电防护，强化系统稳定性与数据传输质量。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HPESDAWC236T5VU
商品编号: C22439770
商品封装: SOT-23-6L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.027731克(g)

商品参数

商品概述

HPESDAWC236T5VU是一款5通道超低电容轨钳位ESD保护二极管阵列。每个通道由一对ESD二极管组成，可将正或负的ESD电流引导至正电源轨或负电源轨。一个齐纳二极管集成在阵列的正负电源轨之间。在典型应用中，负电源轨引脚（指定为GND）连接到系统地。正ESD电流通过一个ESD二极管和齐纳二极管引导至地，正ESD电压被钳位至齐纳电压。

商品特性

5通道ESD保护
提供符合IEC61000-4-2第4级标准的ESD防护：±27kV空气放电，±15kV接触放电
通道I/O对GND电容：0.4pF（最大值）
通道I/O对I/O电容：0.8pF（最大值）
低钳位电压
低工作电压
改进的齐纳结构
优化的封装，便于高速数据线PCB布局
符合RoHS标准

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	反向截止电压(Vrwm)	5V
	钳位电压	8.5V
	峰值脉冲电流(Ipp)	4A
	峰值脉冲功率(Ppp)	55W@8/20us
	击穿电压(VBR)	6V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	1uA
	通道数	五路
	防护等级	IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	0.8pF