HESD5311N
单向ESD 5V截止 峰值浪涌电流:4A
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- 描述
- 此款单向ESD静电保护二极管针对单通道电路设计,5V工作电压下稳定可靠,能承受4A瞬态电流冲击,为电路安全保驾护航。其电容值仅为0.6pF,极大减少了信号衰减和延迟,是保护高频电路和微弱信号应用的理想元件,确保信号完整性与系统高性能表现。
- 商品型号
- HESD5311N
- 商品编号
- C22439783
- 商品封装
- DFN1006-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.007克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5V | |
| 钳位电压 | 15V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 4A | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 60W@8/20us | |
| 击穿电压(VBR) | 6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 100nA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 0.6pF |
商品概述
HESD5311N可保护敏感半导体元件,避免其因静电放电(ESD)和其他电压感应瞬态事件而损坏或出现故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间,为暴露于ESD的设计提供了同类最佳的保护。它使设计人员能够灵活地在不适合使用阵列的应用中保护一条单向线路。封装形式为DFN1006 - 2L。
商品特性
- 高速数据线瞬态保护:IEC 61000 - 4 - 2(ESD)±20kV(接触)±20kV(空气),IEC 61000 - 4 - 4(EFT)40A(5/50 ns)
- 峰值功率耗散:60W(8/20μs)
- 工作电压:5V
- 超小封装(1.0mm×0.6mm×0.5mm)
- 保护一条数据、控制线
- 低电容:0.4pF(典型值)
- 低钳位电压
- 低泄漏电流
