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PJM04DN30PA
2个N沟道 耐压:30V 电流:4A
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- 描述
- 2个N沟道，PD（MAX）：1.2W, VDS=30V,ID=4A， RDS(ON) :<38mΩ@Vgs=10V， RDS(ON) :<65mΩ@Vgs=4.5V ,Trench工艺，低内阻
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM04DN30PA
- 商品编号
- C22438598
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 233pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF |
商品概述
TO-220塑封封装N沟道场效应管。
商品特性
- 先进沟槽技术
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS和REACH标准
- 无卤素和锑
- 湿度敏感度等级3
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理