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PJM13N30PA
1个N沟道 耐压:30V 电流:13A
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- 描述
- 1个N沟道，VDS=30V,ID=13A, RDS(ON) <12mΩ@Vgs=10V,RDS(ON) <18mΩ@Vgs=4.5V PD(MAX):3.5W Trench工艺
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM13N30PA
- 商品编号
- C22438610
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 119pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的SGT技术制造。这项先进技术经过特别设计，可将传导损耗降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。
商品特性
- 先进沟槽技术
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS和REACH标准
- 无卤素和锑
- 湿度敏感度等级3
应用领域
-负载开关-PWM应用-电源管理
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