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PJM9926ANPA
耐压:20V 电流:9A
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- 描述
- 2个N沟道，VDS=20V,ID=6A,Trench工艺，低内阻，RDS(ON) <28mΩ@Vgs=4.5V，RDS(ON) <38mΩ@Vgs=2.5V ，PD(MAX.):1.8W
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM9926ANPA
- 商品编号
- C22438611
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 640pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF |
商品特性
-先进沟槽技术-符合RoHS和REACH标准-无卤素和锑-潮湿敏感度等级3级
应用领域
-功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源