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PJM07P30PA
1个P沟道 耐压:30V 电流:7A
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- 描述
- 1个P沟道，VDS=-30V,ID=-7A,Trench工艺，超低内阻 RDS(ON) <28mΩ@Vgs=-10V, RDS(ON) <50mΩ@Vgs=-4.5V,PD(MAX):3W
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM07P30PA
- 商品编号
- C22438603
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@-10V | |
| 输入电容(Ciss) | 610pF@-15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 93.5pF@-15V |
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