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PJM08C60PA
1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V
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- 描述
- 1个N沟道+1个P沟道，N沟道：VDS=60V,ID=8A,，RDS(ON) <50mΩ@Vgs=10V;P沟道：VDS=-60V,ID=-8A,，RDS(ON) <70mΩ@Vgs=-10V,，Trench工艺，低内阻,开关速度快
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM08C60PA
- 商品编号
- C22438604
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A；8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V；23.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF；865pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF；66pF | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF；77pF |
商品特性
- N沟道
- VDS = 60 V,ID = 8 A
- 在VGS = 10 V时,RDS(导通) < 50 mΩ
- P沟道
- VDS = -60 V,ID = -8 A
- 在VGS = -10 V时,RDS(导通) < 70 mΩ
- 低导通电阻
- 先进的沟槽技术
- 快速开关速度
- SOP-8封装
- 丝印代码:06C60
应用领域
-高功率和电流处理能力-可提供无铅产品-表面贴装封装