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PJM08P40PA
P沟道 耐压:40V 电流:8A
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- 描述
- 1个P沟道，VDS=-40V,ID=-8A,Trench工艺，超低内阻 RDS(ON) <35mΩ@Vgs=-10V, RDS(ON) <45mΩ@Vgs=-4.5V,PD(MAX):1.8W
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM08P40PA
- 商品编号
- C22438605
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.392nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 86pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 116pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的沟槽技术制造。 该器件具备出色的栅极电荷和导通电阻RDS(on)，可大幅降低开关和传导损耗。因此，它非常适用于AC/DC电源转换、负载开关和工业电源应用。
商品特性
- 先进沟槽技术
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS和REACH标准
- 无卤素和锑
- 湿度敏感度等级3
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理