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PJM10H05PPA
耐压:100V 电流:5A
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- 描述
- 1个P沟道，VDS=-100V,ID=-5A,Trench工艺， RDS(ON) <350mΩ@Vgs=-10V, RDS(ON) <400mΩ@Vgs=-4.5V,PD(MAX):1.9W
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM10H05PPA
- 商品编号
- C22438607
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.192nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF |
商品特性
- 先进沟槽技术
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS和REACH标准
- 无卤素和锑
- 湿度敏感度等级3级
应用领域
-负载开关-不间断电源-电池保护