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PJM10P30PA
1个P沟道 耐压:30V 电流:10A
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- 描述
- 1个P沟道，VDS=-30V,ID=-10A, RDS(ON) <23mΩ@Vgs=-10V,RDS(ON) <34mΩ@Vgs=-4.5V PD(MAX):3.7W Trench工艺
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM10P30PA
- 商品编号
- C22438608
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 278pF | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 先进沟槽技术
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS和REACH标准
- 无卤和无锑
- 湿度敏感度等级3级
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理
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