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PJM12P30PA
耐压:30V 电流:12A
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- 描述
- 1个P沟道，VDS=-30V,ID=-12A, RDS(ON) <10.5mΩ@Vgs=-10V, PD(MAX):3W，超低内阻
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM12P30PA
- 商品编号
- C22438609
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的SGT技术制造。该先进技术经过专门设计，可最大限度地降低传导损耗，提供出色的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。
商品特性
- 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻RDS(on)
- 散热性能良好的优质封装
- 漏源电压VDS = -30V,漏极电流ID = -12A
- 在栅源电压VGS = -10 V时,导通电阻RDS(on) < 10.5 mΩ
- SOP-8封装
- 丝印代码:4407
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
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