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PJM09N40PA
耐压:40V 电流:9A
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- 描述
- 1个N沟道，VDS=40V,ID=9A,Trench工艺，超低内阻 RDS(ON) <25mΩ@Vgs=10V, RDS(ON) <35mΩ@Vgs=4.5V,PD(MAX):2.5W
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM09N40PA
- 商品编号
- C22438606
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 708pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF |
商品概述
N沟道TO - 252塑封封装场效应管。 N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，采用TO - 252塑料封装。
商品特性
- 先进沟槽技术
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS和REACH标准
- 无卤素和锑
- 湿度敏感度等级3
应用领域
-负载开关-PWM应用-电源管理