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PJM05DN60PA
耐压:60V 电流:5A
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- 描述
- 2个N沟道，VDS=60V,ID=5A,Trench工艺，超低内阻，RDS(ON) <40mΩ@Vgs=10V，PD:2W
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM05DN60PA
- 商品编号
- C22438599
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.125654克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.148nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49.4pF | |
| 输出电容(Coss) | 58.5pF |
商品特性
- 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻RDS(on)
- 先进的沟槽技术
- 在栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(on) < 40 m Ω
应用领域
- 脉冲宽度调制(PWM)应用
- 负载开关
- 电源管理