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PJM07DN30PA
2个N沟道 耐压:30V 电流:7A
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- 描述
- 2个N沟道，VDS=30V,ID=7A,Trench工艺，低内阻，RDS(ON) <41mΩ@Vgs=10V，RDS(ON) <45mΩ@Vgs=4.5V ，PD(MAX.):2W
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM07DN30PA
- 商品编号
- C22438602
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 702pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF | |
| 输出电容(Coss) | 66pF |
商品特性
- 先进沟槽技术
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS和REACH标准
- 无卤素和锑
- 湿度敏感度等级3
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理