温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PJM06C40PA
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:6.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 1个N沟道+1个P沟道，N沟道：VDS=40V,ID=6.5A,，RDS(ON) <40mΩ@Vgs=10V;P沟道：VDS=-40V,ID=-6A,，RDS(ON) <75mΩ@Vgs=-10V,Trench工艺，低内阻
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM06C40PA
- 商品编号
- C22438600
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.67W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 620pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的SGT技术制造。该先进技术经过专门设计，可最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。
商品特性
- 先进沟槽技术
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS和REACH标准
- 无卤素和锑
- 湿度敏感度等级3
应用领域
- 电源管理