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FDMC7200
双N沟道MOSFET,电流:8A,耐压:30V
- 描述
- 此器件采用双 Power 33 (3 mm X 3 mm MLP) 封装，包括两个特制的 N 沟道 MOSFET。开关节点已经内部连接，可实现同步降压转换器的轻松布置和布线。控制 MOSFET (Q1) 和同步 MOSFET (Q2) 可提供最佳功率效率。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC7200
- 商品编号
- C241797
- 商品封装
- WDFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.098克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.57nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 440pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
该器件在双Power33(3mm x 3mm MLP)封装中集成了两个专用N沟道MOSFET。开关节点已实现内部连接,便于同步降压转换器的布局和布线。控制MOSFET(Q1)和同步MOSFET(Q2)的设计旨在实现最佳功率效率。
商品特性
- Q1:N沟道
- VGS = 10 V、ID = 6 A时,最大rDS(on) = 23.5 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 5 A时,最大rDS(on) = 38 mΩ
- Q2:N沟道
- VGS = 10 V、ID = 8 A时,最大rDS(on) = 12 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 7 A时,最大rDS(on) = 18 mΩ
- 符合RoHS标准
应用领域
- 移动计算
- 移动互联网设备
- 通用负载点