- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDMS7680
N沟道,电流:14A,耐压:30V
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效以及最大程度降低其开关节点噪声而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON)、快速开关和体二极管逆向恢复功能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS7680
- 商品编号
- C241802
- 商品封装
- PQFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 53A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.85nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 575pF |
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 14 A 条件下,最大 rDS(on) = 6.9 m Ω
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 11 A 条件下,最大 rDS(on) = 11 m Ω
- 先进的封装与硅片组合,实现低RDS(ON)和高效率
- 下一代增强型体二极管技术,具备软恢复特性
- MSL1 坚固封装设计
- 100% 进行 UII 测试
- 符合 RoHS 标准