温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDB8447L
40V, 50A, 8.5mΩ N沟道 MOSFET
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB8447L
- 商品编号
- C241756
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.657克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 66A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.62nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用专有PowerTrench技术制造，可实现低导通电阻rDS(on)和优化的击穿电压BVDSS能力，为应用提供卓越的性能优势。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 14 A条件下，最大导通电阻rDS(on) = 8.5 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 11 A条件下，最大导通电阻rDS(on) = 11 mΩ
- 快速开关
- 符合RoHS标准
应用领域
- 逆变器-电源